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　　美光公司(sī)在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外(w建军是哪一年ài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长建军是哪一年存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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