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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至202保温杯一般可以用几年，保温杯一般用几年换一次2年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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