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　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 高中毕业时一般都多大年龄啊 高中毕业属于什么学历NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　高中毕业时一般都多大年龄啊 高中毕业属于什么学历-height: 24px;'>高中毕业时一般都多大年龄啊 高中毕业属于什么学历有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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