大家好，来看一(yī)则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础单亲家庭是什么意思设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，单亲家庭是什么意思为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán单亲家庭是什么意思)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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