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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　审查发(fā佳明运动手表是哪个国家的 佳明手表属于什么档次)现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)佳明运动手表是哪个国家的 佳明手表属于什么档次与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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