大家(jiā)好，来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

　　俩人与两人的区别用哪个合适，小俩口还是小两口>美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng)俩人与两人的区别用哪个合适，小俩口还是小两口，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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