大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息女生冷淡考验一般多久，女孩考验男生的10个套路，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光(guāng)公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析(xī)女生冷淡考验一般多久，女孩考验男生的10个套路，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。

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